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骁龙670详细参数曝光10纳米工艺26核梁

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来源: 作者: 2019-02-22 14:33:50

骁龙670详细参数曝光:10纳米工艺 2+6核心设计

除了有望在月底推出搭载骁龙845芯片的三星S9、小米MIX 2S等新机,高通中端6系产品线的骁龙670也有进一步的资料曝光。泪已尽

德媒WinFuture主编、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了这款SoC的一些规格资料。

骁龙670基于10nm工艺制造,

骁龙670详细参数曝光10纳米工艺26核梁

CPU部分设计为2颗Kryo 300系列Gold大核以及6颗Kryo 300系列Silver小核(基于Cortex A55),最高主频2.6GHz,小核最高主频1.7GHz。

这推翻了此前4+4的ttle设计,比较意外。同时,每核心内件2KB L1缓存,每个丛集享有128KB L2缓存。

GPU是Adreno 615,可以实现430MHz、650MHz和700MHz+调频。

其他方面,闪存支持UFS 2.1和eMMC 5.1,基带集成X20系列,下行速度追上骁龙835的水平,达到1Gbps。

此前我们已经见识过骁龙670 CPU性能,GeekBench 4跑分单核心超1860、多核心超5250,相比于骁龙660单核提升约10%,但多核心反而下降了10%。

最后,爆料人Roland Quandt称,早先中国所谓数码爱好者的泄露一派胡言,他拿到的信息基于高通的官方代码文档,可信度是极高的。

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